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Communication dans un congrès
A novel monolithic approach for modelling crack propagation
Abstract : A new finite element method is explored to model crack propagation in a silicon substrate bonded with a stress-inducing layer. This approach is based on the level-set method coupled with anisotropic remeshing to define the crack faces and tip. Furthermore, the Gθ method is used for computing the strain energy release rate and the propagation direction. Simulations are performed in a monolithic Lagrangian framework
Littérature citée [15 références]
https://hal-mines-paristech.archives-ouvertes.fr/hal-00861818
Contributeur : Magalie Prudon <>
Soumis le : vendredi 13 septembre 2013 - 15:31:31
Dernière modification le : jeudi 24 septembre 2020 - 17:22:54
Archivage à long terme le : : jeudi 6 avril 2017 - 19:35:17
Contributeur : Magalie Prudon <>
Soumis le : vendredi 13 septembre 2013 - 15:31:31
Dernière modification le : jeudi 24 septembre 2020 - 17:22:54
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Fichier
hitti_CSMA2013.pdf
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