Discharge frequency and reagents choice effects on robustness of silicon nitride (Si3N4) thin layers deposited by PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)

Catheline Cazako; Karim Inal; Alain Burr; Frédéric Georgi; Rodolphe Cauro

Discharge frequency and reagents choice effects on robustness of silicon nitride (Si3N4) thin layers deposited by PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)

Catheline Cazako ¹ Karim Inal ¹ Alain Burr ¹ Frédéric Georgi ¹ Rodolphe Cauro

1 CEMEF - Centre de Mise en Forme des Matériaux

Type de document :

Communication dans un congrès

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Matériaux

Sciences de l'ingénieur [physics] / Génie des procédés

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Mécanique [physics.med-ph] / Mécanique des matériaux [physics.class-ph]

Chimie / Cristallographie

Physique [physics] / Matière Condensée [cond-mat] / Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Physique [physics] / Physique [physics] / Chimie-Physique [physics.chem-ph]

Liste complète des métadonnées

https://hal-mines-paristech.archives-ouvertes.fr/hal-01721378
Contributeur : Karim Inal <>
Soumis le : vendredi 2 mars 2018 - 09:21:50
Dernière modification le : lundi 12 novembre 2018 - 10:54:55

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