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Communication dans un congrès

Discharge frequency and reagents choice effects on robustness of silicon nitride (Si3N4) thin layers deposited by PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)

Catheline Cazako 1 Karim Inal 1 Alain Burr 1 Frédéric Georgi 1 Rodolphe Cauro 
1 CEMEF - Centre de Mise en Forme des Matériaux
Type de document :
Communication dans un congrès
Liste complète des métadonnées
https://hal-mines-paristech.archives-ouvertes.fr/hal-01721378
Contributeur : Karim Inal Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : vendredi 2 mars 2018 - 09:21:50
Dernière modification le : samedi 22 octobre 2022 - 05:30:05

Identifiants

  • HAL Id : hal-01721378, version 1

Collections

INSTITUT-TELECOM | ENSMP | CNRS | ENSMP_CEMEF | PARISTECH | PSL | ENSMP_DR

Citation

Catheline Cazako, Karim Inal, Alain Burr, Frédéric Georgi, Rodolphe Cauro. Discharge frequency and reagents choice effects on robustness of silicon nitride (Si3N4) thin layers deposited by PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition). European Conference on Heat Treatment and Surface Engineering, Jun 2017, Nice, France. ⟨hal-01721378⟩

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